NVMYS4D1N06CLTWG

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Peça do fabricante

NVMYS4D1N06CLTWG

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
3000
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:22A (Ta), 100A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:4mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 80µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2200 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.7W (Ta), 79W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:LFPAK4 (5x6)
  • pacote / caso:SOT-1023, 4-LFPAK
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