FQPF7N65CYDTU

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Peça do fabricante

FQPF7N65CYDTU

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 650V 7A TO220F-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
747800
Folhas de dados on-line
FQPF7N65CYDTU PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):650 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1245 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):52W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220F-3 (Y-Forming)
  • pacote / caso:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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