FQB17N08LTM

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Peça do fabricante

FQB17N08LTM

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
FQB17N08LTM PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):80 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:16.5A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:100mOhm @ 8.25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:11.5 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:520 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.75W (Ta), 65W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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