STB23NM60ND

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Peça do fabricante

STB23NM60ND

Fabricante
STMicroelectronics
Descrição
MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
STB23NM60ND PDF
Investigação
  • Series:FDmesh™ II
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:19.5A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:180mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±25V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2050 pF @ 50 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):150W (Tc)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D2PAK
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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