NJVMJD210T4G

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Peça do fabricante

NJVMJD210T4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, PN
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - simples
Series
-
Em estoque
57023
Folhas de dados on-line
NJVMJD210T4G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:PNP
  • corrente - coletor (ic) (máx.):5 A
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):25 V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:1.8V @ 1A, 5A
  • corrente - corte do coletor (máx.):100nA (ICBO)
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:45 @ 2A, 1V
  • potência - máx.:1.4 W
  • frequência - transição:65MHz
  • Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacote de dispositivos do fornecedor:DPAK
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