MJD112G

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Peça do fabricante

MJD112G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - bipolar (bjt) - simples
Series
-
Em estoque
30450
Folhas de dados on-line
MJD112G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo transistor:NPN - Darlington
  • corrente - coletor (ic) (máx.):2 A
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):100 V
  • saturação de vce (máx.) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • corrente - corte do coletor (máx.):20µA
  • ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • potência - máx.:1.75 W
  • frequência - transição:25MHz
  • Temperatura de operação:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacote de dispositivos do fornecedor:DPAK
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