XPH2R106NC,L1XHQ

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Peça do fabricante

XPH2R106NC,L1XHQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 60V 110A 8SOP
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
9832
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, U-MOSVIII-H
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:110A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):-
  • rds em (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 55A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:104 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:6900 pF @ 10 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Temperatura de operação:175°C
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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