IPD053N06NATMA1

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Peça do fabricante

IPD053N06NATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
250000
Folhas de dados on-line
IPD053N06NATMA1 PDF
Investigação
  • Series:OptiMOS™
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:18A (Ta), 45A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):6V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:5.3mOhm @ 45A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.8V @ 36µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:27 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 30 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3W (Ta), 83W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO252-3
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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