IPAW60R190CEXKSA1

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Peça do fabricante

IPAW60R190CEXKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
659
Folhas de dados on-line
IPAW60R190CEXKSA1 PDF
Investigação
  • Series:CoolMOS™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:26.7A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:190mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 630µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1400 pF @ 100 V
  • recurso de pé:Super Junction
  • dissipação de energia (máx.):34W (Tc)
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO220 Full Pack
  • pacote / caso:TO-220-3 Full Pack
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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