SIHD6N65ET4-GE3

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Peça do fabricante

SIHD6N65ET4-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
SIHD6N65ET4-GE3 PDF
Investigação
  • Series:E
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):650 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:48 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):78W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-252AA
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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