FQD3N30TF

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Peça do fabricante

FQD3N30TF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
1970
Folhas de dados on-line
FQD3N30TF PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):300 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:2.4A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D-Pak
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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