SIR140DP-T1-RE3

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Peça do fabricante

SIR140DP-T1-RE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
5806
Folhas de dados on-line
SIR140DP-T1-RE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET® Gen IV
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):25 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:71.9A (Ta), 100A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:0.67mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):+20V, -16V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:8150 pF @ 10 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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