IPD50N04S309ATMA1

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Peça do fabricante

IPD50N04S309ATMA1

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
11005
Folhas de dados on-line
IPD50N04S309ATMA1 PDF
Investigação
  • Series:OptiMOS™
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):40 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:9mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 28µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1.75 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):63W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO252-3
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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