SIHJ7N65E-T1-GE3

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Peça do fabricante

SIHJ7N65E-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 650V 7.9A PPAK SO-8
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
3022
Folhas de dados on-line
SIHJ7N65E-T1-GE3 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):650 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7.9A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:598mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:44 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:820 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):96W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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