FQD6N40CTM

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Peça do fabricante

FQD6N40CTM

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
1565
Folhas de dados on-line
FQD6N40CTM PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):400 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:4.5A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:1Ohm @ 2.25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:625 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.5W (Ta), 48W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D-Pak
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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