TK31J60W5,S1VQ

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Peça do fabricante

TK31J60W5,S1VQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
TK31J60W5,S1VQ PDF
Investigação
  • Series:DTMOSIV
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:30.8A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 1.5mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
  • recurso de pé:Super Junction
  • dissipação de energia (máx.):230W (Tc)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-3P(N)
  • pacote / caso:TO-3P-3, SC-65-3
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