FDFS2P103

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Peça do fabricante

FDFS2P103

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
29870
Folhas de dados on-line
FDFS2P103 PDF
Investigação
  • Series:PowerTrench®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:5.3A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±25V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:528 pF @ 15 V
  • recurso de pé:Schottky Diode (Isolated)
  • dissipação de energia (máx.):900mW (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SOIC
  • pacote / caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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