SIHG30N60E-GE3

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Peça do fabricante

SIHG30N60E-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
414
Folhas de dados on-line
SIHG30N60E-GE3 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:29A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:125mOhm @ 15A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:130 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2600 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):250W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-247AC
  • pacote / caso:TO-247-3
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