IPB039N10N3GE8187ATMA1

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Peça do fabricante

IPB039N10N3GE8187ATMA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
IPB039N10N3GE8187ATMA1 PDF
Investigação
  • Series:OptiMOS™
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:160A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):6V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:3.9mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 160µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:117 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:8410 pF @ 50 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):214W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO263-7
  • pacote / caso:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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