TK7S10N1Z,LQ

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Peça do fabricante

TK7S10N1Z,LQ

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
TK7S10N1Z,LQ PDF
Investigação
  • Series:U-MOSVIII-H
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:48mOhm @ 3.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 100µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:7.1 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:470 pF @ 10 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):50W (Tc)
  • Temperatura de operação:175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:DPAK+
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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