SQM100N10-10_GE3

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Peça do fabricante

SQM100N10-10_GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
99007
Folhas de dados on-line
SQM100N10-10_GE3 PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:100A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:10.5mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:185 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:8050 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):375W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-263 (D2Pak)
  • pacote / caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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