SIHD6N62E-GE3

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Peça do fabricante

SIHD6N62E-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
2987
Folhas de dados on-line
SIHD6N62E-GE3 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):-
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:6A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:900mOhm @ 3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:578 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):78W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D-PAK (TO-252AA)
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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