IPP60R180C7XKSA1

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Peça do fabricante

IPP60R180C7XKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
96
Folhas de dados on-line
IPP60R180C7XKSA1 PDF
Investigação
  • Series:CoolMOS™ C7
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:13A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:180mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 260µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1080 pF @ 400 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):68W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO220-3-1
  • pacote / caso:TO-220-3
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