RQ3E160ADTB

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Peça do fabricante

RQ3E160ADTB

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
610363
Folhas de dados on-line
RQ3E160ADTB PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:16A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 16A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:51 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2550 pF @ 15 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2W (Ta)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-HSMT (3.2x3)
  • pacote / caso:8-PowerVDFN
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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