FQD3P50TM

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Peça do fabricante

FQD3P50TM

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
25409
Folhas de dados on-line
FQD3P50TM PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):500 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:2.1A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:4.9Ohm @ 1.05A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:660 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D-Pak
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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