RCD100N19TL

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Peça do fabricante

RCD100N19TL

Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
1163
Folhas de dados on-line
RCD100N19TL PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Not For New Designs
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):190 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:10A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:182mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:52 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):850mW (Ta), 20W (Tc)
  • Temperatura de operação:150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:CPT3
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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