IRF5210PBF

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Peça do fabricante

IRF5210PBF

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
21000
Folhas de dados on-line
IRF5210PBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:40A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:60mOhm @ 24A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:180 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):200W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220AB
  • pacote / caso:TO-220-3
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