NTMFS6H801NT1G

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Peça do fabricante

NTMFS6H801NT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
6300
Folhas de dados on-line
NTMFS6H801NT1G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):80 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:23A (Ta), 157A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):6V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:4120 pF @ 40 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.8W (Ta), 166W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacote / caso:8-PowerTDFN, 5 Leads
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