FQP8N60C

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Peça do fabricante

FQP8N60C

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
45097
Folhas de dados on-line
FQP8N60C PDF
Investigação
  • Series:QFET®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Not For New Designs
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:7.5A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:1.2Ohm @ 3.75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:36 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1255 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):147W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220-3
  • pacote / caso:TO-220-3
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