IRFL014NPBF

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Peça do fabricante

IRFL014NPBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
3000
Folhas de dados on-line
IRFL014NPBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):55 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:1.9A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):-
  • rds em (max) @ id, vgs:160mOhm @ 1.9A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:11 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:190 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-223
  • pacote / caso:TO-261-4, TO-261AA
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