BSS126H6327XTSA2

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Peça do fabricante

BSS126H6327XTSA2

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
40950
Folhas de dados on-line
BSS126H6327XTSA2 PDF
Investigação
  • Series:SIPMOS®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):600 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:21mA (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):0V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:500Ohm @ 16mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1.6V @ 8µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:2.1 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:28 pF @ 25 V
  • recurso de pé:Depletion Mode
  • dissipação de energia (máx.):500mW (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-23-3
  • pacote / caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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