SPP08N80C3XKSA1

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Peça do fabricante

SPP08N80C3XKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
7500
Folhas de dados on-line
SPP08N80C3XKSA1 PDF
Investigação
  • Series:CoolMOS™
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):800 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:650mOhm @ 5.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 470µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1100 pF @ 100 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):104W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO220-3
  • pacote / caso:TO-220-3
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