SI4483ADY-T1-GE3

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Peça do fabricante

SI4483ADY-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
12437
Folhas de dados on-line
SI4483ADY-T1-GE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:19.2A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.6V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:135 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±25V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:3900 pF @ 15 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.9W (Ta), 5.9W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SO
  • pacote / caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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