SPP18P06PHXKSA1

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Peça do fabricante

SPP18P06PHXKSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
63765
Folhas de dados on-line
SPP18P06PHXKSA1 PDF
Investigação
  • Series:SIPMOS®
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:18.7A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:130mOhm @ 13.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 1mA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:860 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):81.1W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-TO220-3
  • pacote / caso:TO-220-3
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