FDT86102LZ

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Peça do fabricante

FDT86102LZ

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
1724
Folhas de dados on-line
FDT86102LZ PDF
Investigação
  • Series:PowerTrench®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):100 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:6.6A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:28mOhm @ 6.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:1490 pF @ 50 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.2W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-223-4
  • pacote / caso:TO-261-4, TO-261AA
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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