NVMFS6H800NWFT1G

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Peça do fabricante

NVMFS6H800NWFT1G

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
NVMFS6H800NWFT1G PDF
Investigação
  • Series:Automotive, AEC-Q101
  • pacote:Tape & Reel (TR)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):80 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:28A (Ta), 203A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 50A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 330µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:5530 pF @ 40 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • pacote / caso:8-PowerTDFN, 5 Leads
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