GA08JT17-247

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Peça do fabricante

GA08JT17-247

Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
GA08JT17-247 PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Obsolete
  • tipo de pé:-
  • tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):1700 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:8A (Tc) (90°C)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):-
  • rds em (max) @ id, vgs:250mOhm @ 8A
  • vgs(th) (max) @ id:-
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (máximo):-
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:-
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):48W (Tc)
  • Temperatura de operação:175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-247AB
  • pacote / caso:TO-247-3
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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