SI9435BDY-T1-E3

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Peça do fabricante

SI9435BDY-T1-E3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8SO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
15000
Folhas de dados on-line
SI9435BDY-T1-E3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:4.1A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:42mOhm @ 5.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:-
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1.3W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:8-SO
  • pacote / caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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