IRFS3006-7PPBF

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Peça do fabricante

IRFS3006-7PPBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
100000
Folhas de dados on-line
IRFS3006-7PPBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:240A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 168A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:300 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:8.85 pF @ 50 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):375W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D2PAK (7-Lead)
  • pacote / caso:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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