FQPF8N80CYDTU

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Peça do fabricante

FQPF8N80CYDTU

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
38625
Folhas de dados on-line
FQPF8N80CYDTU PDF
Investigação
  • Series:*
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):800 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:1.55Ohm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:2.05 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):59W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220F-3 (Y-Forming)
  • pacote / caso:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
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