IRFB4229PBF

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Peça do fabricante

IRFB4229PBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
IRFB4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
510000
Folhas de dados on-line
IRFB4229PBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):250 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:46A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:46mOhm @ 26A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:4.56 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):330W (Tc)
  • Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-220AB
  • pacote / caso:TO-220-3
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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