SI2336DS-T1-GE3

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Peça do fabricante

SI2336DS-T1-GE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
60000
Folhas de dados on-line
SI2336DS-T1-GE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:5.2A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):1.8V, 4.5V
  • rds em (max) @ id, vgs:42mOhm @ 3.8A, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:15 nC @ 8 V
  • vgs (máximo):±8V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:560 pF @ 15 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
  • pacote / caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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