FDD6612A

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Peça do fabricante

FDD6612A

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
241355
Folhas de dados on-line
FDD6612A PDF
Investigação
  • Series:PowerTrench®
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):30 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:9.5A (Ta), 30A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:20mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:9.4 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:660 pF @ 15 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.8W (Ta), 36W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:D-PAK (TO-252)
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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