ISP75DP06LMXTSA1

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Peça do fabricante

ISP75DP06LMXTSA1

Fabricante
IR (Infineon Technologies)
Descrição
MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
202200
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:OptiMOS™
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:P-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:1.1A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:750mOhm @ 1.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2V @ 77µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:120 pF @ 30 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PG-SOT223-4
  • pacote / caso:TO-261-4, TO-261AA
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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