IRFL4315PBF

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Peça do fabricante

IRFL4315PBF

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
HEXFET POWER MOSFET
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
5000
Folhas de dados on-line
IRFL4315PBF PDF
Investigação
  • Series:HEXFET®
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):150 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:2.6A (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):10V
  • rds em (max) @ id, vgs:185mOhm @ 1.6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):±30V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:420 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):2.8W (Ta)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-223
  • pacote / caso:TO-261-4, TO-261AA
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Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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