SIR112DP-T1-RE3

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Peça do fabricante

SIR112DP-T1-RE3

Fabricante
Vishay / Siliconix
Descrição
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
120000
Folhas de dados on-line
SIR112DP-T1-RE3 PDF
Investigação
  • Series:TrenchFET® Gen IV
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):40 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:37.6A (Ta), 133A (Tc)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:1.96mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:89 nC @ 10 V
  • vgs (máximo):+20V, -16V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:4270 pF @ 20 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):5W (Ta), 62.5W (Tc)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:PowerPAK® SO-8
  • pacote / caso:PowerPAK® SO-8
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
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