2N7002ET1G

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Peça do fabricante

2N7002ET1G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - fets, mosfets - simples
Series
-
Em estoque
346500
Folhas de dados on-line
2N7002ET1G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo de pé:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • tensão de dreno para fonte (vdss):60 V
  • corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c:260mA (Ta)
  • tensão de acionamento (máximo rds ligado, min rds ligado):4.5V, 10V
  • rds em (max) @ id, vgs:2.5Ohm @ 240mA, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • carga do portão (qg) (max) @ vgs:0.81 nC @ 5 V
  • vgs (máximo):±20V
  • capacitância de entrada (ciss) (max) @ vds:26.7 pF @ 25 V
  • recurso de pé:-
  • dissipação de energia (máx.):300mW (Tj)
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote de dispositivos do fornecedor:SOT-23-3 (TO-236)
  • pacote / caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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