NGTB10N60R2DT4G

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Peça do fabricante

NGTB10N60R2DT4G

Fabricante
Rochester Electronics
Descrição
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Series
-
Em estoque
2630
Folhas de dados on-line
NGTB10N60R2DT4G PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Bulk
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):600 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):20 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 10A
  • potência - máx.:72 W
  • energia de comutação:412µJ (on), 140µJ (off)
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:53 nC
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:48ns/120ns
  • condição de teste:300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):90 ns
  • Temperatura de operação:175°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacote de dispositivos do fornecedor:DPAK
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O cliente tem que se responsabilizar pelo envio.
garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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