GT30J121(Q)

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Peça do fabricante

GT30J121(Q)

Fabricante
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Descrição
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Series
-
Em estoque
0
Folhas de dados on-line
-
Investigação
  • Series:*
  • pacote:Tube
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:-
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):600 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):30 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):60 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 30A
  • potência - máx.:170 W
  • energia de comutação:1mJ (on), 800µJ (off)
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:-
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:90ns/300ns
  • condição de teste:300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):-
  • Temperatura de operação:-
  • tipo de montagem:Through Hole
  • pacote / caso:TO-3P-3, SC-65-3
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-3P(N)
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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