HGTD1N120BNS9A

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Peça do fabricante

HGTD1N120BNS9A

Fabricante
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Categoria
produtos semicondutores discretos
Família
transistores - igbts - simples
Series
-
Em estoque
2625
Folhas de dados on-line
HGTD1N120BNS9A PDF
Investigação
  • Series:-
  • pacote:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • estado da peça:Active
  • tipo igbt:NPT
  • tensão - avaria do emissor do colector (máx.):1200 V
  • corrente - coletor (ic) (máx.):5.3 A
  • corrente - coletor pulsado (icm):6 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.9V @ 15V, 1A
  • potência - máx.:60 W
  • energia de comutação:70µJ (on), 90µJ (off)
  • tipo de entrada:Standard
  • carga de portão:14 nC
  • td (ligado/desligado) @ 25°c:15ns/67ns
  • condição de teste:960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • tempo de recuperação reversa (trr):-
  • Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo de montagem:Surface Mount
  • pacote / caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • pacote de dispositivos do fornecedor:TO-252AA
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garantia Todas as compras vêm com uma política de devolução do dinheiro em 30 dias, além de uma garantia de 90 dias contra defeitos de fabricação.
Esta garantia não se aplica a qualquer item em que os defeitos tenham sido causados ​​por montagem inadequada do cliente, falha do cliente em seguir as instruções, modificação do produto, operação negligente ou inadequada

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